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PHB55N03LTA,118产品参数

品牌:NXP USA Inc.

描述:MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 55A(Tc) 85W(Tc) D2PAK

制造商:NXP USA Inc.

系列:TrenchMOS™

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):25V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):55A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 25A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):20nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):950pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):85W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D2PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:934056665118 PHB55N03LTA /T3 PHB55N03LTA /T3-ND

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