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PHX3055E产品参数
型号:PHX3055E
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:PHILIPS SEMICONDUCTORS
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):28 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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