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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 封装原厂直销 实力商家 专业销售全新原装正品 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 集好芯城

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  • 厂家MITSUBI 
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  • 原厂原装公司现货
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  • 深圳市浩兴林电子有限公司

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  • 专营模块,全新原装现货,价优,欢迎查询
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  • 上海乙幸科技有限公司

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  • 厂家日本三菱 
  • 封装原厂封装 
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  • 只做原装!仓库现货!假一赔十!
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 厂家【新到原装现货】 
  • 封装模块 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 数量18800 
  • 厂家三菱 
  • 封装TO-59.高频管 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装*原装模块 
  • 批号2021+ 
  • 原厂代理渠道,假一赔十!
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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 厂家Mitsubishi Electric (三菱) 
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  • 批号▊ROHS环保▊ 
  • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装*原装模块 
  • 批号24+ 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装MOUDLE 
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  • 上海原装现货库存,欢迎查询!
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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 封装原厂原封 
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  • 全新原装现货,价格优势
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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISHI 
  • 封装 
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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市婷轩实业有限公司

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  • 厂家Powerex Inc 
  • 封装 
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  • 进口原装现货热卖
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  • PM30RSF060图
  • 上海意淼电子科技有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家三菱智能型号(7U 600V) IPM 
  • 封装原厂封装 
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  • 原装现货热卖!请联系吴先生 13681678667
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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  • 厂家POWEREX 
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  • 全新原装 货期两周
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  • 021-51872561 QQ:1484215649QQ:729272152
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  • 深圳市勤思达科技有限公司

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  • 厂家三菱 
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  • 原装现货,价格优惠
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  • 0755-83268779 QQ:2881910282QQ:2881239443
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 厂家21+ 
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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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  • 0512-82613006 QQ:1989265666
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  • 深圳市双微电子科技有限公司

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  • 数量976 
  • 厂家MITSUBIS 
  • 封装模块 
  • 批号20+ 
  • 询货请加QQ 全新原装 现货库存
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  • 15889219681 QQ:1965209269QQ:1079402399
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  • 上海典宇电子科技有限公司

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  • 数量1698 
  • 厂家三菱Mitsubushi 
  • 封装Tray 
  • 批号23+ 
  • 只做全新原装,原厂渠道现货
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  • 上海如美电子科技有限公司

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  • 封装厂家直销.IGBT模块.可控硅模块二极管整流桥 
  • 批号19+ 
  • 普通
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 厂家Mitsub.. 
  • 封装原厂原装 
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  • 上海硅威科技有限公司

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  • 封装标准封装 
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  • 公司只做全新原装进口正品 现货直销 质保一年
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 数量16000 
  • 厂家原厂品牌 
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  • 齐创科技(上海北京青岛)有限公司

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  • 厂家MITSUBIS 
  • 封装SOP-16 
  • 批号24+热销 
  • 【优势库存】专业代理全新现货特价热卖
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  • 上海磐岳电子有限公司

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  • 数量5800 
  • 厂家 
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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 数量9800 
  • 厂家Mitsub.. 
  • 封装原厂原装 
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产品型号PM30RSF060的概述

芯片PM30RSF060的概述 PM30RSF060是一款高功率、高效能的功率MOSFET,广泛用于电力电子应用中。其主要目的是为电源管理和转换、驱动电机以及其他需要高效率开关的应用提供解决方案。该芯片以其低导通电阻和快速开关特性著称,为现代高性能电路提供可靠的支持。 PM30RSF060的设计特点在于其能够处理较高的电流与电压,同时具备良好的散热性能。这使得它成为各种产业应用的理想选择,如消费电子、工业设备、汽车电子等。随着电气化和智能化的发展,该MOSFET的使用范围变得越来越广泛。 芯片PM30RSF060的详细参数 PM30RSF060的主要电气特性包括: - 最大漏极源极电压(V_DS):650V - 最大持续漏极电流(I_D):30A - 导通电阻(R_DS(on)):约0.18Ω(在特定条件下) - 输入电压范围:-10V至20V - 最大脉冲漏极电流(I_DM):最大可...

产品型号PM30RSF060的Datasheet PDF文件预览

MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
A
D
R
R
X (15 TYP.)  
N
R
1.  
2.  
3.  
4.  
5.  
V
U
U
V
V
UPC  
14.VNI  
FO  
P
15.B  
16.U  
17.V  
R
N
N
1 2  
3
4
5
6
7
8
9
11  
10 12  
13 15 17 19  
14 16 18  
UPI  
VPC  
T - DIA.  
(2 TYP.)  
18.W  
N
G
F
H
J
6. VFO  
19.F  
20.P  
21.B  
O
P
7.  
8.  
9.  
V
V
V
S
VPI  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
WPC 22.N  
10.WFO  
11.WP  
23.U  
24.V  
P
P
P
P
P
12.VWPI 25.W  
13.VNC  
M
Description:  
E
C
B
Mitsubishi Intelligent Power Mod-  
ules are isolated base modules de-  
signed for power switching applica-  
tions operating at frequencies to  
20kHz. Built-in control circuits pro-  
vide optimum gate drive and pro-  
tection for the IGBT and free-wheel  
diode power devices.  
Y
2.0 X 0.5 MM PIN  
(6 TYP.)  
U
K
0.8 X 0.4 MM PIN  
(19 TYP.)  
K
V
W
L
Q
Features:  
ٗ Complete Output Power  
Circuit  
T C  
ٗ Gate Drive Circuit  
T B  
GND  
ٗ Protection Logic  
– Short Circuit  
– Over Current  
– Over Temperature  
– Under Voltage  
B
N
W
V
U
P
Applications:  
ٗ Inverters  
ٗ UPS  
Outline Drawing and Circuit Diagram  
Dimensions  
Inches  
3.86±0.04  
3.42±0.02  
2.99  
Millimeters  
98.0±1.0  
87.0±0.5  
76.0  
Dimensions  
Inches  
0.512  
Millimeters  
13.02  
ٗ Motion/Servo Control  
ٗ Power Supplies  
A
B
C
D
E
F
N
P
Q
R
S
T
0.450±0.012  
0.31±0.02  
0.300  
11.43±0.3  
8.0±0.5  
7.62  
Ordering Information:  
Example: Select the complete  
part number from the table below  
-i.e. PM30RSF060 is a 600V,  
30 Ampere Intelligent Power Mod-  
ule.  
2.400±0.03  
2.250±0.03  
2.20±0.04  
1.77±0.03  
1.14  
60.96±0.8  
57.15±0.8  
56.0±1.0  
45.0±0.8  
29.0  
0.24 Rad.  
0.22 Dia.  
0.16  
Rad. 6.0  
Dia. 5.5  
4.0  
G
H
J
U
V
W
X
Y
0.14  
3.5  
Type  
Current Rating  
Amperes  
V
CES  
Volts (x 10)  
0.83  
21.0  
0.12±0.02  
0.100±0.012  
0.04  
3.0±0.5  
2.54±0.3  
1.0  
PM  
30  
60  
K
L
0.69  
17.5  
0.71±0.04  
0.588  
18.0±1.0  
14.925  
M
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Absolute Maximum Ratings, T = 25°C unless otherwise specified  
j
Ratings  
Symbol  
PM30RSF060  
-20 to 150  
-40 to 125  
-20 to 100  
1.47 ~ 1.96  
80  
Units  
°C  
Power Device Junction Temperature  
Storage Temperature  
T
j
T
°C  
stg  
Case Operating Temperature  
Mounting Torque, M5 Mounting Screws  
Module Weight (Typical)  
T
°C  
C
N · m  
Grams  
Volts  
Vrms  
Supply Voltage Protected by OC and SC (V = 13.5 - 16.5V, Inverter Part, T = 125°C)  
V
400  
D
j
CC(prot.)  
Isolation Voltage (Main Terminal to Baseplate, AC 1 min.)  
V
iso  
2500  
Control Sector  
Supply Voltage (Applied between V  
-V  
, V  
-V  
, V  
-V  
, V -V  
)
V
20  
20  
20  
20  
Volts  
Volts  
Volts  
mA  
UP1 UPC VP1 VPC WP1 WPC N1 NC  
D
Input Voltage (Applied between U -V , V -V , W -V , U · V · W -V  
)
V
CIN  
P
UPC VPC WPC  
P
P
N
N
N
NC  
Fault Output Supply Voltage (Applied between U -V , V -V  
, W -V  
, F -V  
)
V
FO UPC FO VPC FO WPC  
O
NC  
FO  
FO  
Fault Output Current (Sink Current of U , V , W  
FO FO  
and F Terminal)  
I
FO  
O
IGBT Inverter Sector  
Collector-Emitter Voltage (V = 15V, V  
D
= 15V)  
V
600  
30  
Volts  
Amperes  
Amperes  
Volts  
CIN  
CES  
Collector Current, ±  
I
C
Peak Collector Current, ±  
I
60  
CP  
Supply Voltage (Applied between P - N)  
V
450  
500  
83  
CC  
Supply Voltage, Surge (Applied between P - N)  
Collector Dissipation  
V
Volts  
CC(surge)  
P
Watts  
C
Brake Sector  
Collector-Emitter Voltage (V = 15V, V  
= 15V)  
V
CES  
600  
10  
Volts  
Amperes  
Amperes  
Volts  
D
CIN  
Collector Current, (T = 25°C)  
I
C
C
Peak Collector Current, (T = 25°C)  
I
20  
C
CP  
Supply Voltage (Applied between P - N)  
V
450  
500  
39  
CC  
Supply Voltage, Surge (Applied between P - N)  
Collector Dissipation  
V
Volts  
CC(surge)  
P
C
Watts  
Diode Forward Current  
I
10  
Amperes  
Volts  
F
Diode DC Reverse Voltage  
V
600  
R(DC)  
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Electrical and Mechanical Characteristics, T = 25°C unless otherwise specified  
j
Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Control Sector  
Over Current Trip Level Inverter Part  
Over Current Trip Level Brake Part  
Short Circuit Trip Level Inverter Part  
Short Circuit Trip Level Brake Part  
Over Current Delay Time  
OC  
SC  
-20°C T 125°C, V = 15V  
39  
12  
53  
18  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
Amperes  
µs  
D
-20°C T 125°C, V = 15V  
80  
D
27  
t
V
= 15V  
D
10  
off(OC)  
OT  
Over Temperature Protection  
Trip Level  
Reset Level  
Trip Level  
100  
110  
90  
120  
°C  
OT  
°C  
r
Supply Circuit Under Voltage Protection  
Supply Voltage  
UV  
UV  
11.5  
12.0  
12.5  
15  
12.5  
Volts  
Reset Level  
Volts  
r
V
Applied between V  
-V  
,
13.5  
16.5  
Volts  
D
UP1 UPC  
V
-V  
, V  
CIN  
= 15V, V  
-V  
, V -V  
VP1 VPC WP1 WPC N1 NC  
Circuit Current  
I
D
V
D
= 15V, V = 15V, V -V  
N1 NC  
25  
7
30  
10  
mA  
mA  
V
= 15V, V  
-V  
D
CIN  
XP1 XPC  
Applied between  
, V -V , W -V  
Input ON Threshold Voltage  
Input OFF Threshold Voltage  
V
1.2  
1.7  
1.5  
2.0  
1.8  
2.3  
Volts  
Volts  
th(on)  
V
U -V  
UPC  
,
th(off)  
P
P
VPC  
P
WPC  
U
· V · W · B -V  
N
N
N
r
NC  
PWM Input Frequency  
Fault Output Current  
f
3-φ Sinusoidal  
15  
20  
0.01  
15  
kHz  
mA  
mA  
ms  
PWM  
I
V
= 15V, V  
= 15V, V  
= 15V  
FO(H)  
D
FO  
I
V
= 15V  
10  
1.8  
FO(L)  
D
FO  
Minimum Fault Output Pulse Width  
t
V
= 15V  
D
1.0  
FO  
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Electrical and Mechanical Characteristics, T = 25°C unless otherwise specified  
j
Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
IGBT Inverter Sector  
Collector Cutoff Current  
I
V
= V  
, T = 25°C  
CES  
1.0  
10  
mA  
mA  
CES  
CE  
j
V
= V  
, T = 125°C  
CES  
CE  
j
Diode Forward Voltage  
V
-I = 30A, V = 15V, V  
= 15V  
= 0V, I = 30A  
2.5  
1.8  
1.9  
3.5  
2.5  
2.6  
Volts  
Volts  
Volts  
EC  
C
D
CIN  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V = 15V, V  
D
CE(sat)  
CIN  
CIN  
C
V
= 15V, V  
= 0V, I = 30A,  
C
D
T = 125°C  
j
Inductive Load Switching Times  
t
0.3  
0.6  
0.12  
0.3  
1.5  
0.3  
1.0  
2.8  
1.5  
µs  
µs  
µs  
µs  
µs  
on  
t
V
= 15V, V  
= 0 15V  
rr  
D
CIN  
t
V
CC  
= 300V, I = 30A  
C(on)  
C
t
T = 125°C  
j
2.0  
off  
t
0.6  
C(off)  
Brake Sector  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
V
V
V
= 15V, V  
= 0V, I = 10A,  
2.6  
2.9  
3.5  
4.0  
Volts  
Volts  
CE(sat)  
D
CIN  
C
T = 25°C  
j
= 15V, V  
= 0V, I = 10A,  
C
D
CIN  
T = 125°C  
j
Diode Forward Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I
= 10A  
1.5  
2.5  
1
Volts  
mA  
FM  
F
I
V
= V  
, T = 25°C  
CES  
CE  
CES j  
V
= V  
, T = 125°C  
CES  
10  
mA  
CE  
j
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Symbol  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.5  
Units  
Junction to Case Thermal Resistance  
R
Each Inverter IGBT  
Each Inverter FWDi  
Brake IGBT  
°C/Watt  
°C/Watt  
°C/Watt  
°C/Watt  
th(j-c)Q  
R
3.0  
th(j-c)F  
R
3.2  
th(j-c)Q  
R
th(j-c)F  
Brake FWDi  
4.5  
Contact Thermal Resistance  
R
Case to Fin Per Module,  
Thermal Grease Applied  
0.067 °C/Watt  
th(c-f)  
Recommended Conditions for Use  
Characteristic  
Supply Voltage  
Symbol  
Condition  
Value  
0 ~ 400  
15 ± 1.5  
Units  
Volts  
Volts  
V
Applied across P-N Terminals  
CC  
V
Applied between V  
-V ,  
UP1 UPC  
D
V
-V , V  
-V  
, V  
-V  
N1 NC VP1 VPC WP1 WPC  
Input ON Voltage  
Input OFF Voltage  
V
V
Applied between  
0 ~ 0.8  
Volts  
Volts  
CIN(on)  
U -V  
, V -V  
, W -V  
,
4.0 ~ V  
D
CIN(off)  
P
UPC  
P
VPC  
P
WPC  
U
N
· V · W · B -V  
N
N
r
NC  
PWM Input Frequency  
Minimum Dead Time  
f
Using Application Circuit  
Input Signal  
5 ~ 20  
kHz  
PWM  
t
2.5  
µs  
dead  
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Inverter Part  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
SATURATION VOLTAGE  
CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
COLLECTOR-EMITTER SATURATION  
VOLTAGE CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
5
4
3
2
1
0
40  
30  
20  
10  
3.0  
2.0  
T = 25oC  
V
V
= 15V  
= 0V  
I = 30A  
C
j
D
V
= 0V  
V
= 0V  
T = 25oC  
j
CIN  
CIN  
CIN  
T = 25oC  
15  
= 17V  
j
T = 125oC  
j
T = 125oC  
j
13  
V
D
1.0  
0
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
0
10  
20  
30  
40  
0
10  
0
12  
14  
16  
18  
20  
SUPPLY VOLTAGE, V , (VOLTS)  
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
CE  
D
C
SWITCHING TIME VS.  
COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)  
SWITCHING TIME VS.  
REVERSE RECOVERY CURRENT VS.  
COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)  
COLLECTOR CURRENT (TYPICAL)  
1
1
2
10  
10  
10  
V
V
= 300V  
= 15V  
V
V
= 300V  
V
V
= 300V  
= 15V  
CC  
CC  
= 15V  
C
CC  
D
D
Inductive Load  
Inductive Load  
Inductive Load  
T = 25oC  
T = 25oC  
T = 25oC  
j
j
j
T = 125oC  
j
T = 125oC  
j
T
= 125oC  
j
t
off  
on  
0
10  
0
10  
1
10  
t
t
c(off)  
t
c(on)  
-1  
10  
-1  
10  
0
10  
10  
0
1
10  
2
10  
0
1
10  
2
10  
0
1
10  
2
10  
10  
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
C
COLLECTOR REVERSE CURRENT, -I , (AMPERES)  
C
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
C
OVER CURRENT TRIP LEVEL VS.  
TEMPERATURE (TYPICAL)  
OVER CURRENT TRIP LEVEL VS.  
SUPPLY VOLTAGE (TYPICAL)  
DIODE FORWARD CHARACTERISTICS  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
0
110  
100  
90  
80  
70  
0
2
1
0
10  
T = 25oC  
V
= 15V  
V
= 15V  
D
D
j
V
= 15V  
CIN  
T = 25oC  
j
T = 125oC  
j
10  
10  
0
1.0  
2.0  
3.0  
12  
14  
16  
18  
20  
-50  
0
50  
100  
150  
EMITTER-COLLECTOR VOLTAGE, V , (VOLTS)  
EC  
SUPPLY VOLTAGE, V , (VOLTS)  
JUNCTION TEMPERATURE, T , (oC)  
D
j
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Inverter Part  
CONTROL SUPPLY VOLTAGE TRIP-RESET  
LEVEL TEMPERATURE DEPENDENCY  
(TYPICAL)  
TRANSIENT THERMAL  
IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(Each IGBT)  
FAULT OUTPUT PULSE WIDTH VS.  
TEMPERATURE (TYPICAL)  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
.5  
15  
1
0
10  
V
= 15V  
UV  
UV  
D
t
r
14  
13  
12  
11  
10  
10  
-1  
-2  
-3  
10  
10  
10  
SINGLE PULSE  
STANDARD VALUE = R  
= 1.5oC/W  
th(j-c)Q  
0
0
-3  
10  
-2  
10  
-1  
10  
0
10  
1
10  
-50  
0
50  
100  
150  
-50  
0
50  
100  
150  
JUNCTION TEMPERATURE, T , (oC)  
JUNCTION TEMPERATURE, T , (oC)  
TIME, (s)  
j
C
TRANSIENT THERMAL  
IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(Each FWDi)  
1
10  
0
10  
-1  
10  
-2  
10  
10  
SINGLE PULSE  
STANDARD VALUE = R  
= 3.0oC/W  
0
th(j-c)D  
-3  
-3  
10  
-2  
10  
-1  
10  
1
10  
10  
TIME, (s)  
Sep.1998  
MITSUBISHI INTELLIGENT POWER MODULES  
PM30RSF060  
FLAT-BASE TYPE  
INSULATED PACKAGE  
Brake Part  
SATURATION VOLTAGE  
CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
COLLECTOR-EMITTER SATURATION  
VOLTAGE CHARACTERISTICS (TYPICAL)  
OUTPUT CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
5
4
3
2
1
4
20  
15  
10  
T = 25oC  
j
V
= 0V  
CIN  
15  
= 17V  
MAX  
TYP  
13  
MAX  
TYP  
TYP  
MAX  
3
2
V
D
15 MAX  
V
V
= 15V  
= 0V  
V
I
= 0V  
D
1
0
CIN  
= 10A  
5
0
CIN  
C
T = 25oC  
T = 25oC  
T = 125oC  
j
j
j
T = 125oC  
j
0
0
5
10  
15  
20  
0
12  
14  
16  
18  
20  
0
1
2
3
4
5
SUPPLY VOLTAGE, V , (VOLTS)  
COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)  
COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)  
CE  
D
C
TRANSIENT THERMAL  
IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(IGBT)  
TRANSIENT THERMAL  
IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(FWDi)  
DIODE FORWARD CHARACTERISTICS  
1
0
1
10  
10  
2
10  
1
10  
0
10  
V
V
= 15V  
D
= 15V  
CIN  
T = 25oC  
j
T = 125oC  
j
0
10  
10  
TYP  
MAX  
-1  
-2  
-3  
-1  
-2  
-3  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
SINGLE PULSE  
STANDARD VALUE = R  
SINGLE PULSE  
STANDARD VALUE = R  
= 3.2oC/W  
= 4.5oC/W  
0
th(j-c)Q  
th(j-c)D  
-3  
-2  
10  
-1  
10  
0
10  
1
10  
-3  
-2  
10  
-1  
10  
1
10  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
10  
10  
10  
DIODE FORWARD VOLTAGE, V , (VOLTS)  
TIME, (s)  
TIME, (s)  
F
Sep.1998  
配单直通车
PM30RSF060产品参数
型号:PM30RSF060
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:, MODULE,25LEAD,3.8
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
模拟集成电路 - 其他类型:AC MOTOR CONTROLLER
JESD-30 代码:R-XDMA-X25
功能数量:1
端子数量:25
最大输出电流:60 A
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装等效代码:MODULE,25LEAD,3.8
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源:15 V
认证状态:Not Qualified
子类别:Motion Control Electronics
最大供电电流 (Isup):30 mA
最大供电电压 (Vsup):16.5 V
最小供电电压 (Vsup):13.5 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO
技术:HYBRID
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
  •  
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  • 型号 *
  • 数量*
  • 厂商
  • 封装
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