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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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PM39LV512-70JCE产品参数
型号:PM39LV512-70JCE
是否Rohs认证: 符合
生命周期:End Of Life
IHS 制造商:INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
包装说明:QCCJ, LDCC32,.5X.6
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.68
最长访问时间:70 ns
命令用户界面:YES
数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PQCC-J32
长度:13.97 mm
内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
部门数/规模:16
端子数量:32
字数:65536 words
字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:
组织:64KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ
封装等效代码:LDCC32,.5X.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.56 mm
部门规模:4K
最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:OTHER
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD
切换位:YES
类型:NOR TYPE
宽度:11.43 mm
Base Number Matches:1
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