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NXP PMBT3904
中文翻译
NPN switching transistor
NPN开关晶体管
晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
PHILIPS PMBT3904
中文翻译
NPN switching transistor
NPN开关晶体管
晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
PHILIPS PMBT3904,215 PMBT3904 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin
开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904,215 PMBT3904 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin
开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904,235 PMBT3904 - NPN switching transistor TO-236 3-Pin
PC开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904/T3 TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904D
中文翻译
NPN switching double transistor
NPN开关晶体管双
晶体开关晶体管
NXP PMBT3904M
中文翻译
40 V, 200 mA NPN switching transistor
40 V , 200毫安NPN开关晶体管
晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
PHILIPS PMBT3904M,315 PMBT3904M - 40 V, 200 mA NPN switching transistor DFN 3-Pin
开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904MB SMALL SIGNAL TRANSISTOR
icpdf_datasheet PMBT3904T/R
中文翻译
TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-23
晶体管| BJT | NPN | 40V V( BR ) CEO | 200MA I(C ) | SOT- 23\n
晶体晶体管
PHILIPS PMBT3904-TAPE-13 TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
开关光电二极管晶体管
PHILIPS PMBT3904-TAPE-7 TRANSISTOR 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal
开关光电二极管晶体管
YAGEO PMBT3904TRL13 Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
光电二极管晶体管
NXP PMBT3904VS
中文翻译
40 V, 200 mA NPN/NPN switching transistor
40 V , 200毫安NPN / NPN开关晶体管
晶体开关小信号双极晶体管光电二极管
PHILIPS PMBT3904VS,115 PMBT3904VS - 40 V, 200 mA NPN/NPN switching transistor SOT 6-Pin
开关光电二极管晶体管
NXP PMBT3904YS
中文翻译
40 V, 200 mA NPN/NPN general-purpose double transistor
40 V , 200毫安NPN / NPN通用型双管
更多PMBT3904资料...

PMBT3904详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
NXP SEMICONDUCTORS
零件包装代码
SOT-23
包装说明
PLASTIC PACKAGE-3
针数
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
风险等级
3.48
Is Samacsys
N
最大集电极电流 (IC)
0.2 A
基于收集器的最大容量
4 pF
集电极-发射极最大电压
40 V
配置
SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)
30
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
NPN
最大功率耗散 (Abs)
0.25 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
标称过渡频率 (fT)
300 MHz
最大关闭时间(toff)
250 ns
最大开启时间(吨)
70 ns
VCEsat-Max
0.3 V
Base Number Matches
1
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