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  • PMDPB58UPE,115图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • PMDPB58UPE,115 现货库存
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  • 厂家NEXPERIA 
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  • PMDPB58UPE,115图
  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • PMDPB58UPE,115
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  • 厂家NXP/恩智浦 
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配单直通车
PMDPB58UPE,115产品参数
型号:PMDPB58UPE,115
Brand Name:Nexperia
生命周期:Active
零件包装代码:DFN
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数:6
制造商包装代码:SOT1118
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.55
外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.6 A
最大漏极电流 (ID):3.6 A
最大漏源导通电阻:0.067 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:SIlicon
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.21 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):14.4 A
参考标准:IEC-60134
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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