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产品型号PN2484的Datasheet PDF文件预览

Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
PN2484  
MMBT2484  
C
E
TO-92  
C
SOT-23  
Mark: 1U  
B
B
E
NPN General Purpose Amplifier  
This device is designed for low noise, high gain, general purpose  
amplifier applications at collector currents from 1µ to 50 mA.  
Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
60  
V
V
5.0  
100  
V
Collector Current - Continuous  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°
C
TJ, Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
PN2484  
*MMBT2484  
PD  
Total Device Dissipation  
625  
5.0  
350  
2.8  
mW  
°
mW/ C  
°
Derate above 25 C  
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
°
Rθ  
C/W  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
Rθ  
°C/W  
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
NPN General Purpose Amplifier  
(continued)  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Max Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVCBO  
Collector-Base Breakdown Voltage  
60  
60  
V
V
µ
IC = 10 A, IB = 0  
BVCEO  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage*  
IC = 10 mA, IE = 0  
BVEBO  
ICBO  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
5.0  
V
IC = 10 µA, IE = 0  
Collector Cutoff Current  
VCB = 45 V, IE = 0  
VCB = 45 V, IE = 0, TA = 150°C  
VEB = 5.0 V, IC = 0  
10  
10  
10  
nA  
µA  
nA  
IEBO  
Emitter Cutoff Current  
ON CHARACTERISTICS  
hFE  
DC Current Gain  
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V  
IC = 10 mA, VCE = 5.0 V*  
IC = 1.0 mA, IB = 0.1 mA  
250  
800  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
0.35  
V
V
VCE(sat)  
VBE(on)  
IC = 1.0 mA, VCE = 5.0 V  
0.95  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
Cobo  
Output Capacitance  
Input Capacitance  
Noise Figure  
VCB =5.0 V, f = 140 kHz  
VEB = 0.5 V, f = 140 kHz  
6.0  
6.0  
3.0  
pF  
pF  
dB  
Cibo  
NF  
µ
IC = 10 A, VCE = 5.0 V,  
RS = 10k,f = 1.0 kHz,BW =200 Hz  
*Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 3.0%  
配单直通车
PN2484产品参数
型号:PN2484
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-92A
包装说明:TO-92A, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.11
Is Samacsys:N
集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):200
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1
端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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