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PQ47F010-200产品参数
型号:PQ47F010-200
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:SEEQ TECHNOLOGY INC
包装说明:DIP, DIP32,.6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.57
最长访问时间:200 ns
其他特性:100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面:NO
数据轮询:NO
数据保留时间-最小值:10
JESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:128KX8
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V
编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.005 A
子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO
类型:NOR TYPE
Base Number Matches:1
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