DMN10H120SE-13 MOSFET进口原装现货

制造商:  Diodes Incorporated  

产品种类:   MOSFET  

安装风格:   SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOT-223-4  

通道数量:   1 Channel  

晶体管极性:   N-Channel  

Vds-漏源极击穿电压:   100 V  

Id-连续漏极电流:   3.6 A  

Rds On-漏源导通电阻:  110 mOhms  

Vgs th-栅源极阈值电压:   1.5 V  

Vgs - 栅极-源极电压:   10 V  

Qg-栅极电荷:   10 nC  

最小工作温度:   - 55 C  

最大工作温度:   + 150 C  

配置:   Single Dual Drain  

Pd-功率耗散:   2.1 W  

通道模式:   Enhancement  

封装:   Cut Tape  

封装:   MouseReel  

封装:   Reel  

系列:   DMN10  

晶体管类型:   1 N-Channel  

商标:   Diodes Incorporated  

CNHTS:   8541290000  

下降时间:   2.5 ns  

HTS Code:   8541290095  

MXHTS:   85412999  

产品类型:   MOSFET  

上升时间:   1.8 ns  

工厂包装数量:   2500  

子类别:   MOSFETs  

TARIC:   8541290000  

典型关闭延迟时间:   11 ns  

典型接通延迟时间:   3.8 ns  

单位重量:  112 mg