优化功率MOSFET 兼具高能效和易用性
IPL60R365P7AUMA1
商品详情
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600V CoolMOS™ P7是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。
特征描述
效率
600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R DS(on)
集成栅极电阻器 R G
坚固体二极管
涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
标准级和工业级部件可供选择
优势
效率
优异 FOM R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss，实现更高效率
使用方便
避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性
集成R G降低 MOSFET 振荡敏感度
MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
广泛适用于各种终端应用和输出功率
可选部件适用于消费和工业应用
潜在应用
电视电源
工业 SMPS
服务器
通信
照明
| Parametrics | IPL60R365P7 |
|---|---|
| Budgetary Price €/1k | 0.76 |
| ID (@25°C) max | 10.0 A |
| ID max | 10.0 A |
| IDpulsmax | 26.0 A |
| Mounting | SMT |
| Operating Temperature minmax | -40.0 °C 150.0 °C |
| Ptotmax | 46.0 W |
| Package | ThinPAK 8x8 |
| Pin Count | 5.0 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 13.0 nC |
| QG | 13.0 nC |
| Qgd | 4.0 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 365.0 mΩ |
| RDS (on)max | 365.0 mΩ |
| Rth | 2.73 K/W |
| RthJAmax | 62.0 K/W |
| RthJCmax | 2.73 K/W |
| Special Features | price/performance |
| VDSmax | 600.0 V |
| VGS(th)minmax | 3.0 V 4.0 V |
