STD14NM50N 分立半导体 晶体管 MOSFET
商品详情
制造商: | STMicroelectronics | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
技术: | Si | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | TO-252-3 | |
晶体管极性: | N-Channel | |
通道数量: | 1 Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 500 V | |
Id-连续漏极电流: | 12 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 900 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | - 25 V, + 25 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 4 V | |
Qg-栅极电荷: | 42 nC | |
最小工作温度: | - 55 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
Pd-功率耗散: | 90 W | |
通道模式: | Enhancement | |
资格: | AEC-Q101 | |
商标名: | MDmesh | |
系列: | STD14NM50N | |
封装: | Reel | |
封装: | Cut Tape | |
封装: | MouseReel | |
商标: | STMicroelectronics | |
配置: | Single | |
下降时间: | 32 ns | |
产品类型: | MOSFET | |
上升时间: | 9 ns | |
工厂包装数量: | 2500 | |
子类别: | MOSFETs | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
类型: | MDmesh II Power MOSFET | |
典型关闭延迟时间: | 12 ns | |
典型接通延迟时间: | 15 ns | |
单位重量: | 330 mg |