PSMN008-75B,118产品参数

品牌：Nexperia USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 75A（Tc） 230W（Tc） D2PAK

制造商：Nexperia USA Inc.

系列：TrenchMOS™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.5 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：122.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5260pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：230W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800

其它名称：1727-4770-2 568-5948-2 568-5948-2-ND 934056399118 PSMN008-75B /T3 PSMN008-75B /T3-ND PSMN008-75B,118-ND PSMN00875B118