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PSMN012-100YS,115产品参数
型号:PSMN012-100YS,115
Brand Name:Nexperia
生命周期:Active
零件包装代码:SOIC
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数:4
制造商包装代码:SOT669
Reach Compliance Code:not_compliant
Factory Lead Time:16 weeks
风险等级:5.31
雪崩能效等级(Eas):170 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):60 A
最大漏源导通电阻:0.012 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:MO-235
JESD-30 代码:R-PSSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):242 A
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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