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PSMN1R8-30PL产品参数
型号:PSMN1R8-30PL
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:NEXPERIA
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.76
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/424161.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=424161
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=424161
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=424161
Samacsys PartID:424161
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/PSMN1R8-30PL.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/PSMN1R8-30PL.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name:TO220AB
Samacsys Released Date:2017-03-24 17:14:23
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):1100 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.0023 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):1120 A
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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