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PTF081301E产品参数
型号:PTF081301E
生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数:2
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F2
JESD-609代码:e3
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):473 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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