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  • PTF211802E-A图
  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • PTF211802E-A
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  • 厂家INFINEON 
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  • PTF211802E图
  • 深圳德田科技有限公司

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  • PTF211802E
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  • 封装9600 
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  • PTF211802E图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • PTF211802E
  • 数量18800 
  • 厂家INFINEON-英飞凌 
  • 封装TO-59.高频管 
  • 批号▉▉:2年内 
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PTF211802E产品参数
型号:PTF211802E
是否无铅: 含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数:4
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.81
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:S BAND
JESD-30 代码:R-CDFM-F4
JESD-609代码:e3
元件数量:2
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):647 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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