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  • 大源实业科技有限公司

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PTFB182503ELV1R250产品参数
型号:PTFB182503ELV1R250
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INFINEON TECHNOLOGIES AG
包装说明:FLANGE MOUNT, R-CQFM-X6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.09
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 V
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:L BAND
JESD-30 代码:R-CQFM-X6
JESD-609代码:e4
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:GOLD (10)
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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