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| 型号: | PTFB191501EV1 |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XDFM-F2 |
| 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | HGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | SOURCE |
| 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 65 V |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | L BAND |
| JESD-30 代码： | R-XDFM-F2 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 200 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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