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  • Q201816图
  • 上海硅威科技有限公司

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  • Q201816图
  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保一年
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配单直通车
Q201E3产品参数
型号:Q201E3
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-92
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.08
其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE
换向电压的临界上升率-最小值:1 V/us
关态电压最小值的临界上升速率:40 V/us
最大直流栅极触发电流:10 mA
最大直流栅极触发电压:2 V
最大维持电流:15 mA
JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0
最大漏电流:0.5 mA
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1 A
重复峰值关态漏电流最大值:20 µA
断态重复峰值电压:200 V
子类别:TRIACs
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM
触发设备类型:4 QUADRANT LOGIC LEVEL TRIAC
Base Number Matches:1
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