QCA75BA60应用文章市场行情现货热卖使用介绍供应商报价-中国IC网-芯三七

产品型号QCA75BA60的概述

芯片QCA75BA60的概述 QCA75BA60芯片是Qualcomm公司推出的一款用于无线网络的系统级芯片（SoC），主要应用于家用路由器、接入点和其他网络设备。作为一款创新的无线通信解决方案，QCA75BA60集成了高性能的处理器、强大的网络功能以及多种无线技术，使其成为网络产品设计的重要基础。该芯片采用了最新的Wi-Fi 5（802.11ac）标准，支持高效的数据传输和稳定的连接。其设计旨在满足日益增长的带宽需求以及低延迟通信的要求，尤其适用于视频流传输、在线游戏和其他数据密集型应用。QCA75BA60结合了灵活的架构和高度的集成度，适用于各种无线网络拓扑结构，能够有效地降低系统复杂性和成本。芯片QCA75BA60的详细参数 QCA75BA60芯片的主要参数如下： 1. 处理器架构：采用ARM Cortex-A7双核处理器，主频可达1GHz，具备良好的计算能力。 2....

产品型号QCA75BA60的Datasheet PDF文件预览

（Hi-β）

TRANSISTOR MODULE

QCA75BA60

UL;E76102（M）

QCA75BA60 is a dual Darlington power transistor module which has series-connected

FE

ULTRA HIGH h , high speed, high power Darlington transistors. Each transistor has a

reverse paralleled fast recovery diode (trr：200ns). The mounting base of the module is

electrically isolated from Semiconductor elements for simple heatsink construction,

94max

20 20

27

7

6.5

12

8

12

7

6.5

^●IC＝75A, VCEX＝600V

^●Low saturation voltage for higher efficiency.

●

C2E1

E2

C1

FE

ULTRA HIGH DC current gain h . h ≧750

^●Isolated mounting base

●

3ｰM5

80

2ｰφ6.5�

�

EBO

V

10V for faster switching speed.

110TAB

（Applications）

Motor Control（VVVF）, AC/DC Servo, UPS,

Switching Power Supply, Ultrasonic Application

B2

E2

C2E1

E2

C1

E1

B1

Unit：A

■Maximum Ratings

（Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings

Unit

Symbol

Item

Conditions

QCA75BA60

VCBO

VCEX

VEBO

IC

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

600

V

VBE＝－2V

）pw≦1ms

10

V

A

（

75（150）

75

Reverse Collector Current

Base Current

A

－IC

B

I

4.5

A

T

P

Total power dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

350

W

℃

V

TC＝25℃

j

T

－40 to ＋150

－40 to ＋125

2500

Tstg

VISO

A.C.1minute

Mounting（M6） Recommended Value 2.5

-

3.9（25

2.5（15

-

40）

25）

4.7（48）

2.7（28）

240

Mounting

Torque

N･m

㎏f･B

Termna（l M5） Recommended Value 1.5

Mass

Typical Value

g

■Electrical Characteristics

Ratings

Symbol

Item

Conditions

Unit

Min.

Typ.

Max.

CBO

I

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

CB

CBO

1.0

mA

V

＝V

EBO

I

EB

V ＝V

EBO

300

CEO（SUS）

V

450

600

750

Ic＝1A

Collector Emitter Sustaning

Voltage

V

CEX（SUS）

V

B2

Ic＝15A，I ＝－5A

FE

h

D.C. Current Gain

CE

Ic＝75A，V ＝2.5V

CE（sat）

V

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

On Time

B

2.5

3.0

2.0

8.0

2.0

1.8

V

Ic＝75A，I ＝100mA

BE（sat）

V

B

Ic＝75A，I ＝100mA

ton

ts

Switching

Storage Time

Time

Vcc＝300V，Ic＝75A

I ＝150mA，I ＝－1.5A

μs

B1

B2

tf

Fall Time

Collector-Emitter Reverse Voltage

Reverse Recovery time

ECO

V

Ic＝－75A

trr

BE

200

ns

Vcc＝300V，－Ic＝75A，－di/dt＝75AμA，V ＝－5V

transistor part

Diode part

0.35

1.3

Thermal Impedance

(junction to case)

Rth（j-c）

℃/W

SanRex

®

50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com

QCA75BA60

D.C. Current Gain

Collector Current Vs Switching Time

１�

２�

１０

Typical

�

Tj 25℃�

４�

５�

１０

５�

２�

ts

Tj 125℃�

Tj 25℃�

０�

１０

２�

３�

１０

５�

tf

IB1

IB2

0.15A

５�

２�

ton

－1.5A

２�

VCC 300V

�

－

１０^１�

�

０�

１�

２�

０�

�

２０�

�

４０�

�

８０�

６０�

２�

５�

２�

５�

１０

Collector Current I（B A）�

Collector Current Ic（A）�

Forward Bias Safe Operating Area

Reverse Bias Safe Operating Area

１６０�

２�

１０

１４０�

１２０�

１００�

８０�

Pulse Wide

Typical

５�

－2.0A

IB2

－3.5A

IB2

２�

１�

１０

６０�

４０�

２０�

５�

２�

Non-Repetitive

Tc 25℃�

０�

Tj 125℃�

１０

１�

２�

３�

５�

１０

２�

１０

２�

１０

５�

０�

１００� ２００� ３００� ４００� ５００� ６００� ７００�

５�

Collector-Emitter Voltage VC（E V）�

Collector Current Derating Factor

Forward Voltage of Free Wheeling Diode

１００�

５０�

０�

２�

１０

IS/B Limited

５�

２�

Typical

Tj 25℃�

１�

１０

５�

２�

PTLimited

０�

１０

５�

３�

０�

５０�

１００�

１５０�

０�

１．０�

２．０�

３．０�

Case Temperature（℃）�

Emitter-Collector Voltage VECO（V）�

Maximum Transient Thermal Impedance�

Characteristics

５�

Reverse Recovery Characteristics

１�

０�

Max

１０

50msec～50sec

lrr

trr

２�

５�

－

１０^１�

２�

５�

２�

０�

－

１０^１�

１０

100msec～50sec

５�

Qrr

Junction to Case

VBE 5V

－

１０^２�

�

di/dt －75A/μs�

２�

�

Typical

�

５�

２�

－

１０^１�

�

－

１０^２�

Tj 25℃�

－

１０^４�２�

５� １０^３�２�

５� １０^２�２�

５�

０�

１５０�

５０�

１００�

１�

－

０�

５� １０^１�２�

５� １０２�

５�

２�

１０

Reverse Collector Current -Ic（A）�

Time t（sec）�

SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com

QCA75BA60相关产品

QCA75M60 QCA8057-1L1E QCA8058-1L3E QCA8058-3L3E QCA8058-AL3C QCA8059-1L1E QCA8059-2L1E QCA8059-2LS55 QCA8059-3L1E QCA8059-AL1C QCA8061-AL3C QCA8069-1L3E QCA8072 QCA8072-0-108DRQFN-MT-00 QCA8072-0-108DRQFN-MT-00-0 QCA8072-0VV QCA8075 QCA8075-0-108DRQFN-MT-00-0 QCA8075-0-108DRQFN-MT-01-0 QCA8075-0VV QCA8171-B3 QCA8171-BL3A QCA8171-BL3A-R QCA8171-BL3A-RL QCA8172-B3 QCA8172-BL3A QCA8172-BL3A-R QCA8172-BL3A-RL QCA8175-5L3E QCA8175-BL3A-R QCA8175-BL3A-RL QCA8334 QCA8334-2L3E QCA8334-AL3C QCA8334-AL3C.QCA8335-2L3E QCA8335-AL3C QCA8337 QCA8337-2L3E QCA8337-3L3E

型号:	QCA75BA60
生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	75 A
最小直流电流增益 (hFE)：	750
最大降落时间（tf）：	2000 ns
元件数量：	1
最高工作温度：	150 °C
最大功率耗散 (Abs)：	350 W
最大上升时间（tr）：	2000 ns
子类别：	BIP General Purpose Power
VCEsat-Max：	2 V
Base Number Matches：	1

电子百科

产品导航

产品型号QCA75BA60的概述

产品型号QCA75BA60的Datasheet PDF文件预览

QCA75BA60相关产品

QCA75BA60相关文章

IC37:专业IC行业平台