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产品型号QM100DY-HBK的概述

QM100DY-HBK芯片概述及详细参数 一、芯片概述 QM100DY-HBK是一款广泛应用于工业、交通和新能源领域的功率集成模块 (Power Integrated Module, PIM)。作为一款高效的双向绝缘栅型场效应晶体管 (IGBT) 模块,QM100DY-HBK集成了多个功能,具有高效能与优良的热性能,能够满足当今市场对高功率密度和高可靠性的需求。在电源转换系统中,QM100DY-HBK因其良好的开关特性和低能耗而受到重视。 该芯片主要用于直流电机控制、变频器、逆变器以及各种工业驱动应用,尤其是在需大电流、大功率的场景中表现突出。由于其能够承受较高的电压和电流,使其在电力电子行业中具有广泛用途。 二、详细参数 QM100DY-HBK的主要参数包括: 1. 额定电压 (V_CE): 1200V 2. 额定电流 (I_C): 100A 3. 功率损耗 (P_loss): 通...
配单直通车
QM100DY-HBK产品参数
型号:QM100DY-HBK
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X9
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):100 A
配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):750
最大降落时间(tf):3000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-X9
元件数量:2
端子数量:9
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):620 W
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2.5 V
Base Number Matches:1
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