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  • QM15TD-H(HB)(9)(9B)图
  • 深圳市特顺芯科技有限公司

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  • QM15TD-H(HB)(9)(9B)
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  • QM15TD-H图
  • HECC GROUP CO.,LIMITED

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  • QM15TD-H
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  • 厂家MITSUBISHI 
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  • QM15TD-H图
  • 深圳市昌和盛利电子有限公司

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  • QM15TD-H
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  • ◆★█【IGBT模块专卖】★价格最低★!量大可定!欢迎惠顾!(长期高价回收全新原装正品电子元器件)
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配单直通车
QM15TD-H产品参数
型号:QM15TD-H
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.8
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):15 A
配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):75
最大降落时间(tf):3000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-D17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1
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