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产品型号QM20TD-HB的概述

芯片QM20TD-HB的概述 QM20TD-HB是一种高性能的功率模块,广泛应用于工业驱动、电力控制和电动汽车等多个领域。该模块在设计上兼顾了高效能和高可靠性,使其在众多的电子系统中表现优异。QM20TD-HB采用了现代化的半导体技术,具备优秀的散热性能和耐久性,为各种复杂应用提供了稳定的电源解决方案。 该芯片支持多种工作模式,并具有较高的功率密度,使其在空间有限的应用场景中表现尤为突出。伴随其灵活性,该模块还能适应多种工作环境,满足不同用户的需求。通过先进的集成电路设计,QM20TD-HB能够实现快速响应和高效控制,提升系统的整体性能。 芯片QM20TD-HB的详细参数 QM20TD-HB的参数设计充分体现了其高性能的特点。以下是一些关键参数: - 输入电压范围:通常在15V至30V之间; - 输出电流:最高可达20A; - 开关频率:支持高达100kHz的开关频率; - 最大功率:...
配单直通车
QM20TD-HB产品参数
型号:QM20TD-HB
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-D17
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82
Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):20 A
配置:COMPLEX
最小直流电流增益 (hFE):250
最大降落时间(tf):2000 ns
JESD-30 代码:R-PUFM-D17
元件数量:6
端子数量:17
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Power
表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:2 V
Base Number Matches:1
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