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| 型号: | QM50E3Y-H |
| 生命周期： | Obsolete |
| IHS 制造商： | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 |
| Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 75 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 310 W |
| 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
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