QS6M3TR产品参数

品牌：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6

详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)

制造商：Rohm Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：不適用於新設計

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V，20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.5A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：230 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：1.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：80pF @ 10V

功率 - 最大值：1.25W

工作温度：150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：TSMT6（SC-95）

基本零件编号：*M3

标准包装：3,000