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QS8201-35D6产品参数
型号:QS8201-35D6
是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:QUALITY SEMICONDUCTOR INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92
Is Samacsys:N
最长访问时间:35 ns
最大时钟频率 (fCLK):22.22 MHz
JESD-30 代码:R-XDIP-T28
JESD-609代码:e0
内存集成电路类型:OTHER FIFO
内存宽度:9
端子数量:28
字数:512 words
字数代码:512
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:512X9
封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP
封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
电源:5 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.015 A
子类别:FIFOs
最大压摆率:0.1 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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