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QS8J12TCR产品参数
型号:QS8J12TCR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.68
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:12 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4.5 A
最大漏极电流 (ID):4.5 A
最大漏源导通电阻:0.029 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-F8
JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):18 A
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:TIN COPPER
端子形式:FLAT
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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