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产品型号QST7TR的概述

芯片QST7TR的概述 QST7TR是一种高性能的电源管理芯片,广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子等多个领域。它具有低功耗、高集成度及优异的热管理能力,为各种电源系统提供了可靠的解决方案。该芯片的设计旨在满足新一代系统的需求,确保系统在不同环境和工作条件下的稳定性和效率。作为当前市场上的一款传输和控制芯片,QST7TR凭借其独特的功能,受到了业内工程师的广泛关注。 芯片QST7TR的详细参数 QST7TR芯片的参数设计符合现代应用的需求,其性能指标可概括为以下几点: - 输入电压范围:3.0V 至 30V,支持多种电源输入。 - 输出电流:最大输出电流达到1.5A,能够满足绝大多数电子设备的需求。 - 工作温度范围:-40°C 到 125°C,适合恶劣环境中的使用。 - 效率:高达95% 的集成效率,降低了系统的热损耗。 - 开关频率:可调的开关频率在100 kHz至1 MHz之间...

产品型号QST8的Datasheet PDF文件预览

QST8  
Transistors  
General purpose amplification (  
12V,  
1.5A)  
QST8  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : T08  
VCE (sat) : max. 200mV  
At IC = 500mA / IB = 25mA  
ROHM : TSMT6  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
15  
12  
6  
Unit  
V
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
I
C
1.5  
3  
500  
A
A
Collector current  
Tr  
1
Tr2  
1  
2  
3  
I
CP  
mW/TOTAL  
1.25  
0.9  
150  
W/TOTAL  
W/ELEMENT 3  
Power dissipation  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Tj  
°C  
°C  
Range of storage temperature Tstg  
55 to +150  
1 Single pulse, Pw=1ms  
2 Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
3 Mounted on a 25mm  
×
25mm  
×
0.8mm ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
15  
12  
6  
270  
Typ.  
Max.  
Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
85  
400  
V
V
I
I
I
C
= −10µA  
= −1mA  
= −10µA  
CB= −15V  
EB= −6V  
C
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
V
E
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
100  
100  
200  
680  
nA  
nA  
mV  
V
I
V
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
= −500mA, I  
B
= −25mA  
= −200mA∗  
=200mA, f=100MHz  
h
V
V
V
CE= −2V, I  
CE= −2V, I  
C
Transition frequency  
f
T
MHz  
E
CB= −10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Corrector output capacitance  
Pulsed  
Cob  
12  
pF  
Rev.A  
1/2  
QST8  
Transistors  
zPackaging specifications  
Package  
Taping  
TR  
Type  
Code  
3000  
Basic ordering unit (pieces)  
QST8  
zElectrical characteristic curves  
10  
1
1000  
1  
0.1  
V
CE= −2V  
I
C
/ I  
B
=20/1  
Ta=25°C  
Pulsed  
Pulsed  
Ta= −40°C  
Ta=25°C  
Ta=100°C  
Pulsed  
V
BE (sat)  
I
I
I
C
/ I  
/ I  
/ I  
B
=50  
=20  
=10  
C
C
B
B
Ta=100°C  
Ta=100°C  
Ta=25°C  
Ta= −40°C  
Ta=25°C  
0.1  
100  
Ta= −40°C  
0.01  
0.001  
0.01  
0.001  
V
CE (sat)  
10  
0.001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
0.01  
0.1  
1  
10  
0.001  
0.01  
0.1  
1  
10  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
COLLECTOR CURRENT : IC (A)  
Fig.2 Collector-emitter saturation voltage  
base-emitter saturation voltage  
vs. collector current  
Fig.3 Collector-emitter saturation voltage  
vs. collector current  
Fig.1 DC current gain  
vs. collector current  
1000  
10  
1000  
I
C
=20 I  
B
1= −20 IB2  
V
CE=2V  
Ta=25°C  
Ta=25°C  
Pulsed  
Pulsed  
V
CE= −2V  
Pulsed  
Ta=100°C  
1  
Ta=25°C  
100  
10  
1
Ta= −40°C  
tstg  
tf  
0.1  
100  
tdon  
tr  
0.01  
0.001  
10  
0.001  
0.001  
0.01  
0.1  
1  
10  
0
0.5  
1.0  
1.5  
0.01  
0.1  
1
10  
COLLECTOR CURRENT : I  
C
(A)  
BASE TO EMITTER CURRENT : VBE (V)  
EMITTER CURRENT : IE (A)  
Fig.6 Switching time  
Fig.4 Grounded emitter propagation  
characteristics  
Fig.5 Gain bandwidth product  
vs. emitter current  
100  
I =0A  
E
f=1MHz  
Cib  
Ta=25°C  
Cob  
10  
1
0.1  
1  
10  
100  
EMITTER TO BASE VOLTAGE : VEB (V)  
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : VCB (V)  
Fig.7 Collector output capacitance  
vs. collector-base voltage  
Emitter input capacitance  
vs. emitter-base voltage  
Rev.A  
2/2  
Appendix  
Notes  
No technical content pages of this document may be reproduced in any form or transmitted by any  
means without prior permission of ROHM CO.,LTD.  
The contents described herein are subject to change without notice. The specifications for the  
product described in this document are for reference only. Upon actual use, therefore, please request  
that specifications to be separately delivered.  
Application circuit diagrams and circuit constants contained herein are shown as examples of standard  
use and operation. Please pay careful attention to the peripheral conditions when designing circuits  
and deciding upon circuit constants in the set.  
Any data, including, but not limited to application circuit diagrams information, described herein  
are intended only as illustrations of such devices and not as the specifications for such devices. ROHM  
CO.,LTD. disclaims any warranty that any use of such devices shall be free from infringement of any  
third party's intellectual property rights or other proprietary rights, and further, assumes no liability of  
whatsoever nature in the event of any such infringement, or arising from or connected with or related  
to the use of such devices.  
Upon the sale of any such devices, other than for buyer's right to use such devices itself, resell or  
otherwise dispose of the same, no express or implied right or license to practice or commercially  
exploit any intellectual property rights or other proprietary rights owned or controlled by  
ROHM CO., LTD. is granted to any such buyer.  
Products listed in this document are no antiradiation design.  
The products listed in this document are designed to be used with ordinary electronic equipment or devices  
(such as audio visual equipment, office-automation equipment, communications devices, electrical  
appliances and electronic toys).  
Should you intend to use these products with equipment or devices which require an extremely high level of  
reliability and the malfunction of with would directly endanger human life (such as medical instruments,  
transportation equipment, aerospace machinery, nuclear-reactor controllers, fuel controllers and other  
safety devices), please be sure to consult with our sales representative in advance.  
About Export Control Order in Japan  
Products described herein are the objects of controlled goods in Annex 1 (Item 16) of Export Trade Control  
Order in Japan.  
In case of export from Japan, please confirm if it applies to "objective" criteria or an "informed" (by MITI clause)  
on the basis of "catch all controls for Non-Proliferation of Weapons of Mass Destruction.  
Appendix1-Rev1.1  
配单直通车
QST8TR产品参数
型号:QST8TR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SC-95
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.73
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):270
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):400 MHz
Base Number Matches:1
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