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QST8TR产品参数
型号:QST8TR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SC-95
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
风险等级:1.73
最大集电极电流 (IC):1.5 A
集电极-发射极最大电压:12 V
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE):270
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e1
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):400 MHz
Base Number Matches:1
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