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RGP02-12EHE3/73产品参数
型号:RGP02-12EHE3/73
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SEMICONDUCTORS
零件包装代码:DO-41
包装说明:O-PALF-W2
针数:2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.57
其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.8 V
JEDEC-95代码:DO-204AL
JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:20 A
元件数量:1
端子数量:2
最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V
最大反向恢复时间:0.3 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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