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R1EV5801MBSDRDI#B0产品参数
型号:R1EV5801MBSDRDI#B0
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SOP
包装说明:SOP-32
针数:32
制造商包装代码:PRSP0032DC-A32
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.74
最长访问时间:250 ns
其他特性:IT ALSO HAVE ACCESS TIME 150 NS OPERATES AT 4.5 TO 5.5 V SUPPLY VOLTAGE
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.45 mm
内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:131072 words
字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
编程电压:3 V
座面最大高度:3 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
宽度:11.3 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1
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