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  • 深圳市宇川湘科技有限公司

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  • 厂家RENESAS(瑞萨)/IDT 
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  • 深圳市凌创微科技有限公司

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  • 深圳市芯柏然科技有限公司

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  • 深圳市斌腾达科技有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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  • 只做进口原装QQ询价,专营射频微波十五年。
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R1LP0408DSB-5SI#B1产品参数
型号:R1LP0408DSB-5SI#B1
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:TSOP(2)
包装说明:SOP,
针数:32
制造商包装代码:PTSB0032DE-A32
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
Factory Lead Time:18 weeks
风险等级:2.3
Samacsys Description:Low Power SRAM
最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8
功能数量:1
端子数量:32
字数:524288 words
字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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