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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 封装NA/ 
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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 深圳市华兴微电子有限公司

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R1LV0416DBG-7LI产品参数
型号:R1LV0416DBG-7LI
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP, BGA48,6X8,30
针数:48
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.62
Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G48
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
功能数量:1
端子数量:48
字数:262144 words
字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
组织:256KX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP
封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.025 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.75 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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