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  • R1LV3216RSD-5SR#S0图
  • 万三科技(深圳)有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • R1LV3216RSD-5SR#S0
  • 数量660000 
  • 厂家Renesas Electronics America Inc. 
  • 封装原厂原装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
  • 0755-21006672 QQ:3008961398
配单直通车
R1LV3216RSD-5SR#S0产品参数
型号:R1LV3216RSD-5SR#S0
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP(2)
针数:52
制造商包装代码:PTSB0052LB-A52
Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:1 week
风险等级:5.66
最长访问时间:55 ns
备用内存宽度:8
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G52
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16
端子数量:52
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:2MX16
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP52,.4,16
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.000012 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.055 mA
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING
端子节距:0.4 mm
端子位置:DUAL
Base Number Matches:1
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