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R1RW0404DGE-2LR产品参数
型号:R1RW0404DGE-2LR
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
零件包装代码:SOJ
包装说明:0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数:32
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.54
最长访问时间:12 ns
I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32
长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4
湿度敏感等级:2
功能数量:1
端子数量:32
字数:1048576 words
字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C
最低工作温度:
组织:1MX4
输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):245
电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.55 mm
最大待机电流:0.0004 A
最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1
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