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R35100产品参数
型号:R35100
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:DO-5
包装说明:O-MUPM-D1
针数:1
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.49
其他特性:EXCELLENT RELIABILITY
应用:POWER
外壳连接:ANODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.25 V
JEDEC-95代码:DO-203AB
JESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:1050 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:1
最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C
最大输出电流:70 A
封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:50 µA
最大反向恢复时间:5 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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