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R6004CNDTL产品参数和技术文档

R6004CNDTL产品图

R6004CNDTL产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
1.00602
$2,515.05

R6004CNDTL产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 4A CPT

详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4A(Ta) 40W(Tc) CPT3

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:不適用於新設計

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):1.8 欧姆 @ 2A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):11nC @ 10V

Vgs(最大值):±25V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):280pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):40W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:CPT3

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

其它名称:R6004CNDTLTR

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