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R6030KNX产品参数和技术文档

R6030KNX产品图

R6030KNX产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
3.90000
$3.90
10
3.47900
$34.79
100
2.85260
$285.26
500
2.30990
$1,154.95
1,000
1.94810
$1,948.10

R6030KNX产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 86W(Tc) TO-220FM

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 14.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2350pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):86W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220FM

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:100

其它名称:R6030KNXTR R6030KNXTR-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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