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  • 深圳市科雨电子有限公司

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R6030KNZ1C9产品参数和技术文档

R6030KNZ1C9产品图

R6030KNZ1C9产品参考价格

价格分段
单价(USD)
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1
4.09000
$4.09
10
3.65100
$36.51
100
2.99400
$299.40
500
2.42444
$1,212.22
1,000
2.04470
$2,044.70

R6030KNZ1C9产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

详细描述:通孔 N 沟道 600V 30A(Tc) 305W(Tc) TO-247

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):600V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):130 毫欧 @ 14.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2350pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):305W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247

封装/外壳:TO-247-3

标准包装:30

其它名称:R6030KNZ1C9TR R6030KNZ1C9TR-ND

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级(MSL):1(无限)

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