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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量90000 
  • 厂家Rohm Semiconductor 
  • 封装原装现货 
  • 批号21+ 
  • 只做原装MOSFET N-CH 800V 1A TO252
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  • 深圳市联大实业有限公司

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  • 数量20000 
  • 厂家罗姆 
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  • 深圳市艾宇欣科技有限公司

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  • 厂家Rohm 
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  • 批号1942+ 
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  • R800CH08图
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  • 北京首天国际有限公司

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  • 数量1260 
  • 厂家WESTCODE 
  • 封装模块 
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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • R8008-400M图
  • R8008-400M
  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 数量2300 
  • 厂家SGS 
  • 封装 
  • 批号16+ 
  • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
  • 010-66001623、66001621
  • R800CH12C2H0图
  • R800CH12C2H0
  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 数量6000 
  • 厂家WESTCODE 
  • 封装模块 
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  • 原装正品,假一罚十
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  • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 数量5000 
  • 厂家Micro Commercial Components (MCC) 
  • 封装贴/插片 
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  • 百分百原装正品,现货库存
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  • 深圳市美森特电子有限公司

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  • 厂家WESTCODE 
  • 封装标准封装 
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  • 一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
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  • 飞弛宏元器件

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  • 厂家VISHAY/威世 
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  • R8002ANJFRG
  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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  • 数量90000 
  • 厂家ROHM专家 
  • 封装TO-263 
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  • R800CH18图
  • R800CH18
  • 深圳市晨豪科技有限公司

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  • 厂家WESTCODE 
  • 封装MODULE 
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  • ★当天发货绝对全新原装公司现货0755-82732291
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  • R8005ANX图
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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 数量27000 
  • 厂家Rohm 
  • 封装代理Rohm 
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  • 只做原装公司现货一级代理销售
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  • 江苏华美半导体有限公司

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  • 厂家WESTCODE 
  • 封装原厂直销 实力商家 专业销售全新原装正品 
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  • 模块封装
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家STEWARD 
  • 封装SMD8 
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  • 绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量98000 
  • 厂家ROHM/罗姆 
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  • 假一罚十,原装进口正品现货供应,只做原装
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 数量85000 
  • 厂家ROHM/罗姆 
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  • 深圳原装正品现货供应,假一罚十,只做原装正品。
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  • 上海紫卓电子科技有限公司

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  • 厂家WESTCODE 
  • 封装标准封装 
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  • 深圳市金煌鑫科技有限公司

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  • 厂家WESTCODE 
  • 封装模块 
  • 批号19+ 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 数量83000 
  • 厂家EPCOS 
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  • 原装现货上海库存!专营进口元件
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 厂家ROHM 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 贸泽电子元器件(深圳)有限公司

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  • 数量672200 
  • 厂家 
  • 封装CWDIP24 
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配单直通车
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R8002ANX产品参数和技术文档

R800产品图

R8002ANX产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
1
2.85000
$2.85
10
2.57600
$25.76
100
2.07000
$207.00
500
1.61000
$805.00
1,000
1.33400
$1,334.00

R8002ANX产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM

详细描述:通孔 N 沟道 800V 2A(Tc) 35W(Tc) TO-220FM

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:散装

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):800V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.3 欧姆 @ 1A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):12.7nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):210pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):35W(Tc)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-220FM

封装/外壳:TO-220-3 整包

标准包装:500

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