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  • RA13H1317M-101图
  • 深圳市芯达科技有限公司

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  • 深圳市正纳电子有限公司

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  • 万三科技(深圳)有限公司

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  • 万三科技 秉承原装 实单可议
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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RA13H1317M-101产品参数
型号:RA13H1317M-101
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.81
Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω
构造:MODULE
最大输入功率 (CW):20 dBm
功能数量:1
最大工作频率:175 MHz
最小工作频率:135 MHz
最高工作温度:110 °C
最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:FLNG,2.4"H.SPACE
电源:5,12.5 V
射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
技术:HYBRID
最大电压驻波比:3
Base Number Matches:1
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