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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • RA60H1317M1A-101图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 厂家MITSUBISH 
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  • 深圳市一线半导体有限公司

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  • 香港元动力半导体有限公司

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RA60H1317M1A-101产品参数
型号:RA60H1317M1A-101
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLNG,2.4"H.SPACE
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω
构造:COMPONENT
最大输入功率 (CW):20 dBm
JESD-609代码:e3
功能数量:1
最大工作频率:174 MHz
最小工作频率:136 MHz
最高工作温度:100 °C
最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装等效代码:FLNG,2.4"H.SPACE
电源:5,12.5 V
射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers
技术:HYBRID
端子面层:Matte Tin (Sn)
最大电压驻波比:3
Base Number Matches:1
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