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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳承鹏兴实业有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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RAQ045P01TCR产品参数

品牌:Rohm Semiconductor

描述:MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6

详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 4.5A(Ta) 600mW(Ta) TSMT6(SC-95)

制造商:Rohm Semiconductor

系列:-

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:P 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):30 毫欧 @ 4.5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):40nC @ 4.5V

Vgs(最大值):-8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):4200pF @ 6V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):600mW(Ta)

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TSMT6(SC-95)

封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

标准包装:3,000

其它名称:RAQ045P01TCRTR

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