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RBR20BM60AFHTL产品参数
型号:RBR20BM60AFHTL
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.69
其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:GENERAL PURPOSE
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.59 V
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流:100 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:AEC-Q101
最大重复峰值反向电压:60 V
最大反向电流:600 µA
表面贴装:YES
技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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