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RBV606产品参数
型号:RBV606
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:EIC SEMICONDUCTOR CO LTD
包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.77
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY
最小击穿电压:600 V
外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流:200 A
元件数量:4
相数:1
端子数量:4
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:6 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
参考标准:TS 16949
最大重复峰值反向电压:600 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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