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RD01MUS2B-101,T113产品参数
型号:RD01MUS2B-101,T113
生命周期:Obsolete
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.75
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:25 V
最大漏极电流 (ID):0.6 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
元件数量:1
工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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