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RD12MVP1产品参数
型号:RD12MVP1
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MITSUBISHI ELECTRIC CORP
包装说明:FLATPACK, R-XQFP-F4
针数:4
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.75
外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):4 A
最大漏极电流 (ID):4 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-XQFP-F4
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:FLAT
端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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