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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 深圳市誉兴微科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 集好芯城

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市凯鑫跃电子有限公司

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  • 厂家NEC-日本电气 
  • 封装SOT-23.贴片 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
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  • 上海金庆电子技术有限公司

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产品型号RD2.2M-T1B的产品参数和RD2.2M-T1B的使用说明

配单直通车
RD2.2M-T1B-A产品参数
型号:RD2.2M-T1B-A
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:MM
包装说明:MINIMOLD, SC-59, 3 PIN
针数:3
制造商包装代码:PLSP0003ZD-A3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.5
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:100 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W
标称参考电压:2.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.67%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
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