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  • RD200E-T4B图
  • 深圳市惊羽科技有限公司

     该会员已使用本站10年以上
  • RD200E-T4B
  • 数量78800 
  • 厂家RENESAS-瑞萨 
  • 封装DO-35 
  • 批号▉▉:2年内 
  • ▉▉¥10一一有问必回一一有长期订货一备货HK仓库
  • QQ:43871025
  • 131-4700-5145---Q-微-恭-候---有-问-秒-回 QQ:43871025
  • RD200E-T1-AZ图
  • 万三科技(深圳)有限公司

     该会员已使用本站1年以上
  • RD200E-T1-AZ
  • 数量660000 
  • 厂家RENESAS(瑞萨电子) 
  • 封装 
  • 批号23+ 
  • 支持实单/只做原装
  • QQ:3008961398
  • 0755-21006672 QQ:3008961398
配单直通车
RD200E-T1B产品参数
型号:RD200E-T1B
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78
外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1
端子数量:2
封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified
标称参考电压:200 V
表面贴装:NO
技术:ZENER
端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%
工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1
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