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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市和诚半导体有限公司

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  • 深圳市励创源科技有限公司

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  • 上海金庆电子科技京城市场部

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  • 艾润(香港)电子有限公司

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  • 深圳市科雨电子有限公司

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  • 深圳市一线半导体有限公司

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RD28F3208C3T70产品参数
型号:RD28F3208C3T70
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:INTEL CORP
零件包装代码:BGA
包装说明:LFBGA, BGA68,8X12,32
针数:66
Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.83
最长访问时间:70 ns
其他特性:SRAM IS ORGANIZED AS 512K X 16
JESD-30 代码:R-PBGA-B66
长度:10 mm
内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:MEMORY CIRCUIT
内存宽度:16
混合内存类型:FLASH+SRAM
功能数量:1
端子数量:66
字数:2097152 words
字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C
组织:2MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LFBGA
封装等效代码:BGA68,8X12,32
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3 V
认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.4 mm
最大待机电流:0.000006 A
子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES
技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:8 mm
Base Number Matches:1
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