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  • RD3.3M-T1B-A图
  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • RD3.3M-T1B-A
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  • 厂家NEC 
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  • RD3.3M-T1B-A图
  • 北京首天国际有限公司

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  • 厂家NEC 
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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • RD3.3M-T1B-A TLZ3V0B
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  • 封装SOT-23 
  • 批号2021+ 
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RD3.3M-T1B-A产品参数
型号:RD3.3M-T1B-A
Brand Name:Renesas
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:RENESAS ELECTRONICS CORP
零件包装代码:MM
包装说明:R-PDSO-G3
针数:3
制造商包装代码:PLSP0003ZD-A3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:130 Ω
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):225
极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W
标称参考电压:3.3 V
子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES
技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:6.06%
工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1
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